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可控硅按照不同的分类方法

可控硅按照不同的分类方法可分为不同的种类：

1、按关断、导通以及控制方式分类：可控硅按照关断、导通以及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

2、按照封装形式分类。

可控硅按照封装形式可以分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型，其中金属封装可控硅还有螺栓型、平板型、圆壳型等多种分类。而塑封可控硅又可分为带散热片型和不带散热片型两种。

3、按照引脚和极性分类。

可控硅按照引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

可控硅模块温度保护显得尤为必要

可控硅与其他设备一样，在实际使用时会因为自身功耗出现发热的现象，在这种情况下，如果不采取适当措施将热量散热出去，就会引起模块管芯PN结温度急剧上升，使得器件特性恶化，导致完全损坏。所以，可控硅模块温度保护显得尤为必要。

一般来说，可控硅模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗、门极损耗三部分组成，在工频或者400Hz以下频率的应用中主要的是导通损耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题的总原则是：控制模块中管芯的结温不超过产品数据表给定的额定结温。

可控硅模块的防护措施:过电压保护

可控硅模块的防护措施：

过电压保护。

过电压可能会导致可控硅模块击穿，主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或者可控硅在导通与截止间的转换，对过电压保护可采取以下两种保护措施：

1、阻容保护。

阻容保护是电阻和电容串联后，接在可控硅电路中的一种过电压保护方式，其实质就是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使得耗能元件的特性，将过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻将这部分能量消耗掉。

2、硒堆保护。

可以说，可控硅模块在弱点面前，还是比较容易损坏的，用户一定要注意做好以上保护措施。