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双向可控硅属于NPN五层器件,三个电极分别是T1、T2、G

可控硅（又叫晶闸管）T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

可控硅模块的主要参数介绍

可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯、等场合作用大，但是，在实际应用中，仍然有人对可控硅模块不是特别了解，今天，小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。

可控硅模块的主要参数：

(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

(2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

(3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

(4) 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的阳极正向电流。

(5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的控制极电流和电压。

可控硅主要技术参数:1、额定通态电流也是*大稳定工作电流

可控硅主要技术参数：

1、额定通态电流也就是*大稳定工作电流，俗称电流，常用可控硅的额定通态电流一般为一安到几十安。

2、反向重复峰值电压（VRRM）或者断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压，常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

3、控制极触发电流（IGT），俗称触发电流，常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

4、额定正向平均电流。也就是在规定温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

单向可控硅的区分方法:先任意测量两个极

单向可控硅与双向可控硅的区分方法：

先任意测量两个极，如果正、反测指针均不动，可能是A、K或者G、A极（对单向可控硅）也可能是T1、T1或T2、G极（对双向可控硅），如果其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K极，黑笔接的是G极，剩下的则为A极，如果正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅，再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。